纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力,可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中,使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压,同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。
NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能(UVLO),能在10~20V电压范围内工作。
产品特性
• 高压侧电压范围:+/-1200V(SOP14封装);+/-700V(SOP8封装)
• 低于35ns传播延时,低于7ns延时匹配
• +4/-6A 驱动电流能力
• 高低侧独立UVLO功能
• 独立逻辑地管脚(SOP14封装)
• 高达150kV/us的高压侧dV/dt抗干扰能力
• 工作温度范围:-40℃~125℃
• 通过AEC-Q100认证
应用场景
• 半桥、全桥、LLC电源拓扑
• 高效高密度工业、通信、服务器电源
• 太阳能、电机驱动及新能源领域
功能框图
如您需要咨询产品更多信息,请点击“联系我们”,我们将尽快回复您!
联系我们
您的问卷已提交,请您等待我们的邮件反馈,感谢您的耐心!